加工方法、加工装置、加工システム、半導体デバイス製造方法、及び半導体デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：四宮通
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-068145
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270558
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
要約：

【要約】【課題】被加工物の被加工面側の所望の膜厚分布を、精度良く得る。【解決手段】作成装置4は、測定装置3により測定されたウエハ2の膜厚に基づいて、目標研磨量分布を求める。作成装置4は、研磨装置1を制御するための制御プログラムを想定し、想定した制御プログラムに従って研磨装置1によりウエハ2が研磨された後に得られる研磨量分布を予測する。このとき、ウエハ2の被研磨面の部分領域と研磨体14との接触相対速度が、接触相対速度が増加するにつれて研磨量が漸増しつつその増加量が次第に小さくなる関係に従って、当該部分領域の研磨量を予測する。作成装置4は、予測された研磨量分布と目標研磨量分布とを比較することで、想定された制御プログラムの良否を判定する。研磨装置1は、良と判定された制御プログラムに従って、ウエハ2を研磨する。

請求項（抜粋）：

工具と被加工物との間に荷重を加えつつ、前記工具と前記被加工物とを相対移動させることにより、前記被加工物を加工する加工装置を用いて、前記被加工物を加工する加工方法において、前記加工装置を制御するための制御パラメータ又は制御プログラムを作成する作成方法又は作成装置により作成された制御パラメータ又は制御プログラムに従って、前記加工装置を作動させることによって、前記被加工物を加工する段階を含み、前記作成方法は、前記被加工物が加工された後に得られる前記被加工面の加工量分布を予測する予測段階を含み、該予測段階において予測された加工量分布に基づいて前記制御パラメータ又は制御プログラムを作成し、前記予測段階は、前記被加工物の被加工面の個々の部分領域について、前記被加工物を加工した後の当該部分領域の加工量を、当該部分領域と前記工具との接触相対速度をパラメータの1つとして、少なくとも前記接触相対速度が所定速度以上である場合には、前記接触相対速度が増加するにつれて前記加工量が連続的又は段階的に漸増しつつその増加量が連続的又は段階的に次第に小さくなる関係、又はこの関係と略々同等の関係に従って、予測する段階を含み、前記作成装置は、前記被加工物が加工された後に得られる前記被加工面の加工量分布を予測する予測手段を含み、該予測段階において予測された加工量分布に基づいて前記制御パラメータ又は制御プログラムを作成し、前記予測手段は、前記被加工物の被加工面の個々の部分領域について、前記被加工物を加工した後の当該部分領域の加工量を、当該部分領域と前記工具との接触相対速度をパラメータの1つとして、少なくとも前記接触相対速度が所定速度以上である場合には、前記接触相対速度が増加するにつれて前記加工量が連続的又は段階的に漸増しつつその増加量が連続的又は段階的に次第に小さくなる関係、又はこの関係と略々同等の関係に従って、予測する手段を含む、ことを特徴とする加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 , B24B 37/04 , B24B 51/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 R , B24B 37/04 Z , B24B 51/00

Fターム (13件)：

3C034AA08 , 3C034AA13 , 3C034CA05 , 3C034CB02 , 3C034CB18 , 3C034DD07 , 3C058AA07 , 3C058BA07 , 3C058BB06 , 3C058CA01 , 3C058CB10 , 3C058DA12 , 3C058DA17

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