特許

J-GLOBAL ID：200903056011508872

光電変換半導体装置

発明者： 佐藤 恵二
出願人/特許権者： 株式会社エスアイアイ・アールディセンター
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-205106
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054782
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 基板上に多数のストリップ状PN接合をもつ光電変換装置の欠陥のあるPN接合の他への悪影響を除去する。【解決手段】 N-基板1上の欠陥のないP+領域2ストリップはアノード電極5から抵抗7を介してバイアス線9に共通に結ばれている。欠陥のあるP+領域2ストリップはアノード電極5からワイヤボンディング20により第2バイアス線10に結線されている。アノード電極5とバイアス線9のあいだは断線されている。

請求項（抜粋）：

シリコンの第1導電型半導体基板(1)の第1の面に多数のストリップ状の第2導電型不純物領域(2)をもち、前記基板(1)の第2の面に前記基板(1)より不純物濃度の大きい第1導電型不純物領域(3)をもち、前記第2導電型不純物領域(2)上に誘電体(4)と第1電極(5)をもち、前記誘電体(4)上に第2電極(6)をもち、前記第2導電型不純物領域(2)を囲んで第2の第2導電型不純物領域(8)をもち、前記第2導電型不純物領域(2)が抵抗(7)を介して共通のバイアス線(9)に結線されている光電変換半導体装置において、前記光電変換半導体装置が第2のバイアス線(10)をもち、少なくともひとつ以上の前記第2導電型不純物領域(2)が前記バイアス線(9)に結線されず、前記第2のバイアス線(10)に結線されていることを特徴とする光電変換半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/09 ,  G01J 1/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10

FI (4件)：

H01L 31/00 A ,  G01J 1/02 B ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/10 E