特許

J-GLOBAL ID：200903056013492965

半導体装置の製造方法

発明者： 百田 聖自 ,  望月 英司
出願人/特許権者： 富士電機デバイステクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-163401
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363518
出願日： 2003年06月09日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】アノード側に安定して膜厚のばらつきの少ないめっきを形成し、かつカソード側に何ら手を加えることなく、カソード側にめっきが付かないようにし、アノード側の加工がその後に邪魔にならないようにする製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板1の表面に有するスクライブラインやフイールドプレートあるいはオープン電極5を覆うように絶縁膜を形成した上でNiの無電解めっきを金属電極4に行い、めっきを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方の表面にスクライブラインを形成し、そのスクライブライン上を絶縁膜で覆った後に、該一方の表面の金属電極上に前記金属電極と異なる金属を無電解めっきで被着することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

FI (4件)：

H01L21/288 E ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/91 A ,  H01L21/88 T

Fターム (19件)：

4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD53 ,  4M104FF10 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033MM08 ,  5F033PP28 ,  5F033RR04 ,  5F033RR22 ,  5F033VV07 ,  5F033XX31