半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-047154
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251455
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、バンプの高さが均一でかつ電気的特性の良好な半導体装置を提供することを目的とする。【構成】本発明では、素子領域および配線14の形成された半導体基板11表面に突出するように絶縁性の突起部15を形成し、この突起部15を覆うと共に配線14に電気的に接続するようにバンプとしての金属膜17,18,19を形成している。

請求項（抜粋）：

素子領域および配線の形成された半導体基板表面に突出するように形成された絶縁性の突起部と、前記突起部を覆うと共に前記配線に電気的に接続されたバンプとしての金属膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 21/92 T , H01L 21/92 C

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