特許

J-GLOBAL ID：200903056017226020

サリサイドの形成方法

発明者： 小松 裕司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025781
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235512
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 段差部での異常な侵食の生じないサリサイドの形成方法を達成させる。【構成】 段差基部に被反応層としてのポリシリコン膜18をエッチバックしてポリシリコン残部18Aを残し、その後、Ti膜20を堆積させてシリサイド化を行なう。これにより、段差基部でSiが異常に侵食を受けるのを防止することができる。

請求項（抜粋）：

段差を有する半導体基体の前記段差の底部に自己整合的にシリサイド層を形成するサリサイドの形成方法において、前記段差の基部にメタルとの被反応層を形成し、その後メタル膜を形成してシリサイド化を行うことを特徴とするサリサイドの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 311 P