特許
J-GLOBAL ID：200903056017894537
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019137
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053134
出願日： 1993年02月08日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】低温で形成した3層レジスト膜を用いて、微細なパターンを高歩留りで形成する。【構成】3層レジストの中間層に130°C以下の温度で形成したフッ素含有酸化珪素膜4を用いることにより、下層レジスト膜3の熱処理温度を低下させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に被エッチング膜を形成したのち全面に有機膜とフッ素含有酸化珪素膜とを順次形成する工程と、前記フッ素含有酸化珪素膜をパターニングする工程と、パターニングされた前記フッ素含有酸化珪素膜をマスクとしドライエッチング法により前記有機膜をエッチングする工程と、エッチングされた前記有機膜をマスクとしドライエッチング法により前記被エッチング膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
, H01L 21/302
