特許
J-GLOBAL ID：200903056022293959
異物検査装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-297408
公開番号（公開出願番号）：特開平5-134393
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年05月28日
要約：
【要約】【目的】 フォトマスク面上の異物を検査する際に、誤検出の回避が必要のない領域の異物検出感度を高感度に保った状態で、必要な領域のみ誤検出の回避を可能にし、半導体装置製造のフォト工程で発生する異物転写に起因したパターン欠陥を低減する。【構成】 フォトマスク面に対して、ある一定方向に偏光したレーザー光を、ある一定の角度を保って走査し、前記フォトマスク面上のパターン、及び、異物によって散乱された前記レーザー光を、その偏光特性の違いから前記異物によるものだけを分離して検出し、その強度が、ある一定水準に達したものを異物として判定する異物検査装置において、前記フォトマスク面上を一回の検査で検査すべき領域を複数箇所に分割し、各々の領域に対して、前記異物として判定する水準を、それぞれ任意に設定し検査する。
請求項（抜粋）：
フォトマスク面に対して、ある一定方向に偏光したレーザー光を、ある一定の角度を保って走査し、前記フォトマスク面上のパターン、及び、異物によって散乱された前記レーザー光を、その偏光特性の違いから前記異物によるものだけを分離して検出し、その強度が、ある一定水準に達したものを異物として判定する異物検査装置において、前記フォトマスク面上を一回の検査で検査すべき領域を複数箇所に分割し、各々の領域に対して、前記異物として判定する水準を、それぞれ任意に設定し検査することを特徴とする異物検査装置。
IPC (4件)：
G03F 1/08
, G01B 11/30
, G01N 21/88
, H01L 21/66
