特許
J-GLOBAL ID：200903056023429846
S/Nエンハンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-028643
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204407
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 良好なエンハンス特性を簡単に得ることができるS/Nエンハンサを提供する。【構成】 このS/Nエンハンサ10は、静磁波素子30を含む。静磁波素子30は、たとえば短冊状のGGG基板32を含み、GGG基板32の一方主面にフェリ磁性基体としてのYIG薄膜34が形成される。この静磁波素子30は、4つのトランスデューサ16a〜16d上に配置される。そして、2つのトランスデューサ16a,16bおよび静磁波素子30の一端側部分30aなどで第1の静磁波フィルタが構成され、別の2つのトランスデューサ16c,16dおよび静磁波素子30の他端側部分30bなどで第2の静磁波フィルタが構成される。。
請求項（抜粋）：
入力信号中の主信号の振幅を制限するための第1の静磁波フィルタ、および前記主信号を通過するための第2の静磁波フィルタを含むS/Nエンハンサにおいて、前記第1の静磁波フィルタに用いられるフェリ磁性基体と前記第2のフェリ磁性基体に用いられるフェリ磁性基体とが、前記第1の静磁波フィルタおよび前記第2の静磁波フィルタにおける静磁波の伝搬方向と同じ方向に延びて一体的に形成されることを特徴とする、S/Nエンハンサ。
IPC (4件)：
H01P 1/23
, H01P 1/218
, H01P 7/00
, H04B 1/10
