特許
J-GLOBAL ID：200903056025581246

逆浸透複合膜

発明者：
蜂須賀 久雄

蜂須賀 久雄 について

, 
池田 健一

池田 健一 について


出願人/特許権者：
日東電工株式会社

日東電工株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224139
公開番号（公開出願番号）：特開平10-066845
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 多孔性支持膜の表面に分離活性層を有する逆浸透複合膜において、pH6.0のときの前記分離活性層の表面ゼータ電位が、-15mV以上5mV以下の範囲であることにより、高塩阻止率、高透水性と高耐汚染性を伴せ有し、比較的低圧で実用性のある脱塩を可能にする逆浸透複合膜を提供する。【解決手段】 m-フェニレンジアミンとトリメシン酸クロライドとを界面重縮合反応させて得られた芳香族系ポリアミド膜の表面に、ケン化度99%のポリビニルアルコール(PVA)をイソプロピルアルコール(IPA)と水の3:7溶液に溶解させ、0.13重量%のPVA溶液とした溶液を逆浸透膜上にディッピング法により塗布し、130°Cで5分間乾燥して薄層を形成させ、分離活性層の表面ゼータ電位が、-15mV以上5mV以下の範囲の逆浸透複合膜を得る。
請求項（抜粋）：
多孔性支持膜の表面に分離活性層を有する逆浸透複合膜において、pH6.0のときの前記分離活性層の表面ゼータ電位が、-15mV以上5mV以下の範囲であることを特徴とする逆浸透複合膜。
IPC (4件)：
B01D 69/02 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/38 ,  B01D 71/56
FI (4件)：
B01D 69/02 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/38 ,  B01D 71/56
引用特許：
審査官引用 (4件)
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