特許
J-GLOBAL ID：200903056040219545
スイッチング回路のスナバー回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古澤 俊明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-129460
公開番号（公開出願番号）：特開平5-300753
出願日： 1992年04月22日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：
【要約】【目的】 電力損失が少なく、しかも、効率を低下させることなく高周波数化ができるスイッチング回路を得ることにある。【構成】 スナバ回路24は、第1、第2コンデンサ25、26の直列回路と、第2コンデンサ26と並列のダイオード27とからなり、第1コンデンサ25は、第2コンデンサ26より大、好ましくは、約2倍とし、スイッチング素子13は、MOS-FETを用い、100KHz以上の高周波数化したスイッチング回路からなるスイッチング回路のスナバー回路である。スイッチング素子13のオフした瞬間は、従来同様、インダクタ12の大きなエネルギーが、第1コンデンサ25に充電して吸収される。本発明では、スイッチング素子13がオンした瞬間、第1コンデンサ25の電荷を第2コンデンサ26を通り放電されて、総容量が少なくなり、電荷の移動が少なくて済み、損失なしで充電電荷が放出される。
請求項（抜粋）：
直流電源に、インダクタ12とスイッチング素子13とを直列に接続し、前記スイッチング素子13の両端に、並列にスナバ回路24を接続してなるスイッチング回路において、前記スナバ回路24は、第1コンデンサ25(C1)と第2コンデンサ26(C2)の直列回路と、他方の第2コンデンサ26と並列のダイオード27とからなることを特徴とするスイッチング回路のスナバー回路。
IPC (4件)：
H02M 7/48
, H02M 1/00
, H02M 3/28
, H02M 7/537
