特許
J-GLOBAL ID：200903056042368807
エッチング方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-304974
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150022
出願日： 1996年11月15日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：
【要約】【課題】 エッチング処理においてエッチングレートの変化を減少させる。【解決手段】 外部11と遮断された雰囲気を形成可能な真空処理容器4と、真空処理容器4の内部4aの排気を行う真空排気手段7と、真空処理容器4の内部4aに処理ガス13を供給するガス供給手段5と、真空処理容器4の内部4aで半導体ウェハ1を支持する下部電極である支持台2と、支持台2と対向して設けられるとともに支持台2に対向する対向面6bを備えた第1電極6aと対向面6bに露出する止めねじ9によって第1電極6aが結合される第2電極6cとからなりかつ支持台2とともにプラズマ12を生成する対向電極6と、止めねじ9の対向面6bに露出した露出部9aを覆うシールドリング10とからなり、シールドリング10に第1電極6aの対向面6bの露出面積を増加させる切り欠き部が形成されていることにより、プラズマ12の放電領域12aを拡大する。
請求項（抜粋）：
プラズマを用いるエッチング方法であって、半導体ウェハを支持する支持台に対向する対向面を備えた第1電極と前記第1電極が結合される第2電極とからなる対向電極を有するエッチング装置を準備する工程と、前記エッチング装置の処理容器内に設けられた前記支持台に前記半導体ウェハを搭載する工程と、前記第1および第2電極を結合する結合部材の前記第1電極の対向面に露出する露出部をリング状部材によって覆うとともに、前記リング状部材に形成された切り欠き部により前記第1電極の対向面の露出面積を増加させて前記支持台または前記対向電極に高周波を印加する工程と、前記高周波の印加によって前記プラズマを生成する工程とを有し、前記リング状部材の切り欠き部によって前記第1電極の対向面の露出面積を増加させることにより、前記プラズマの放電領域を拡大してエッチングすることを特徴とするエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H05H 1/46
H01L 21/302 C
, C23F 4/00 A
, H05H 1/46 A
, H05H 1/46 M
