特許

J-GLOBAL ID：200903056046484879

凸凹ポリシリコン及び多結晶シリコン膜の形成方法

発明者： 川野 英夫 ,  塩谷 計二 ,  三上 雅生 ,  鈴木 達也 ,  獅子口 清一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-263032
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235526
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】 安定性に優れ、簡単な工程で制御性良く形成でき、表面積が大きく均一な凸凹ポリシリコン膜を形成する方法を提供する。【構成】 P(リン)濃度が1×1020cm-3以下であるアモルファスシリコン上に膜厚が不均一または島状の金属またはその化合物をドライエッチングの選択マスクとし、アモルファスシリコン表面層を凸凹にする工程とこのアモルファスシリコンを加熱して凸凹ポリシリコン膜を形成する方法。

請求項（抜粋）：

少なくとも、アモルファスシリコン上に膜厚が不均一または島状に形成された金属またはその化合物をドライエッチングの選択マスクとして、アモルファスシリコン表面層を凸凹にする工程と、凸凹アモルファスシリコンを加熱する工程とを有することを特徴とする凸凹ポリシリコンの形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 21/302 N ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 325 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-266460
  
• 特開平3-272165
  
• 特開平4-196162