特許
J-GLOBAL ID：200903056046553234
放射検出器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
浅村 皓
, 浅村 肇
, 森 徹
, 岩本 行夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-321408
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150715
出願日： 2004年11月05日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：
【課題】より便利でかつより信頼性があるリソグラフィ投影装置、及び現在可能なより多くの光学構成部品におけるEUV放射フラックスを決定するためのアセンブリを提供すること。【解決手段】放射フラックスが、間接的に検出される。すなわち、一次放射フラックス自体は測定されず、代わりに二次放射フラックスが測定される。二次放射フラックスは、一次フラックスを二次放射フラックスに変換することによって生成される。提示される測定システムは、蛍光層によって出される放射によって生成される測定信号から、以下の量、すなわちドーズ、EUV放射の強度、光学構成部品の光学層の汚染量を得ることが可能である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
検出器(31)及び測定システム(33)を備える検出器構成体であって、前記検出器(31)が、前記検出器(31)上に入射する第1のタイプの放射(39)に応答して、前記測定システム(33)に測定信号を提供するように配置され、前記検出器(31)が、光学構成部品(24)の近傍に配置されるように設計される検出器構成体において、
前記光学構成部品(24)が、少なくとも、
前記検出器アセンブリが使用されるとき、第2のタイプの放射(35)の量を受ける光学層(22)を備え、前記第2のタイプの放射(35)の前記量の一部分(41)が、前記光学層(22)を通過し、前記光学構成部品(24)がさらに、少なくとも、
前記一部分(41)が当たり、前記一部分(41)の少なくとも一部を前記第1のタイプの放射(39)に変換する層(25)と、
前記第1のタイプの放射(39)に対して実質的に透明である基体(27)とを備え、前記測定システムが、前記測定信号から、前記第2のタイプの放射(35)の前記量のドーズ、放射の前記第2の量(35)の強度、及び前記光学層(22)の汚染量の少なくとも1つを得るように配置されたことを特徴とする検出器構成体。
IPC (3件)：
H01L21/027
, G01T1/20
, G03F7/20
H01L21/30 531A
, G01T1/20 E
, G01T1/20 G
, G03F7/20 521
, H01L21/30 503G
2G088EE30
, 2G088FF02
, 2G088GG16
, 2G088GG19
, 2G088GG20
, 2G088JJ05
, 2G088JJ08
, 2G088JJ09
, 2G088JJ37
, 5F046GA03
, 5F046GA07
