特許
J-GLOBAL ID：200903056048416854
強誘電体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-121142
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312691
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 チップサイズを大幅に増大させることなく、大容量化を図れる強誘電体記憶装置を提供する。【解決手段】 書き込み時には、I/O端子20に入力された2ビットのデータに応じた4種類の電位が電位発生器18からデータラインDLを介してビットラインBL1 に選択的に印加される。そして、この電位が、強誘電体キャパシタFC11の一方の電極に印加され、強誘電体に4種類の残留分極状態が選択的に生成される。これによって、1個のメモリセルM11に4値データが記憶される。読み出し時には、ビットラインBL1 の電位が、出力データ生成器16において、3個の基準電位と比較され、記憶データが判別される。
請求項（抜粋）：
ワード線と、ビット線と、強誘電体キャパシタと、前記ワード線の電位に応じて、前記ビット線と前記強誘電体キャパシタの一方の電極とを選択的に接続状態および遮断状態に切り換えるスイッチングトランジスタと、データ書き込み時に、入力データに応じた2n (nは2以上の整数)種類の電位を前記ビット線に印加する電位発生手段とを有する強誘電体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A
, G11C 11/22
