半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101118
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307395
出願日： 1994年05月16日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】大きなメモリセル容量を得る。【構成】ホトレジスト117をマスクにして、酸化珪素膜112,114,116およびSOG膜113,115のn型拡散層106上領域をエッチングして、コンタクトホール118を形成する。このとき、酸化珪素膜112,114,116に堆積物が付き、SOG膜113,115の部分にはそれが付かない。これは、吸湿性のSOG膜113,115がエッチング時に水分を放出するためである。この状態でオーバーエッチングをすると、SOG膜113,115の部分が横方向にエッチングされて、コンタクトホール118の内壁面に環状の窪みが形成される。この内壁面上に不純物を導入しながら多結晶シリコン膜を形成すると、フィン状部分を持つ、表面積の広い一方の電極が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた第1の導電膜と、前記第1の導電膜の少なくとも一部分を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を覆うように形成された第2の導電膜とで容量素子が形成されており、前記容量素子はフィン状部を有した円筒状であることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C , H01L 27/04 C

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