特許

J-GLOBAL ID：200903056052877106

半導体装置の製造方法

発明者： 大藪 芳信
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271822
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098077
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 樹脂封止を併用したフェイスダウン・ボンディングの信頼性を向上させる。【解決手段】 予めプリント配線パターン2が形成された実装基板1上において、半導体チップ10の実装領域の周囲にカルコゲナイド・ガラスを被着させ、絶縁フェンス3を形成する。絶縁フェンス3はディスペンサを用いた塗布またはスクリーン印刷により形成され、その一辺には開口3aが設けられる。半導体チップ10のフェイスダウン・ボンディングを行った後、開口3a側を高くするごとく実装基板1を傾斜させ、ディスペンサ・ノズル20を用いて開口3aから封止用樹脂Rを注入する。絶縁フェンス3が、不要部への封止用樹脂Rの流出を防止する。また、樹脂の流れがほぼ1方向となるので気泡が発生せず、さらに半導体チップ10の側面にも十分量の樹脂が回り込み、樹脂封止が良好に行われる。

請求項（抜粋）：

予め配線パターンが形成された実装基板上に素子形成面を対向させるごとく実装される半導体チップの周囲に第1の絶縁材料を被着させることにより、一端に開放部を有するフェンス状部材を形成する第1工程と、前記フェンス状部材の開放部を通じて第2の絶縁材料を供給することにより、半導体チップと前記フェンス状部材との間、および半導体チップと前記実装基板との間の間隙を該第2の絶縁材料で充填する第2工程と、前記第2の絶縁材料を熱硬化させて封止層を形成する第3工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/56 E ,  H01L 23/28 C