電界効果トランジスタおよびその形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-150144
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340579
出願日： 1999年05月28日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 Si基板上にエピタキシャル成長させる化合物半導体層が低抵抗化し、電界効果トランジスタの高周波特性が劣化するという問題があった。【解決手段】 Si基板4上に化合物半導体から成るバッファ層5と活性層6を積層して設けると共に、この活性層6上にゲート電極1とソース・ドレイン電極2、3を設けた電界効果トランジスタであって、上記バッファ層5中もしくはバッファ層5上に、200μm以下の幅を有する酸化されたメサ状のAlx Ga1-x As層8を設けると共に、このAlx Ga1-x As層8の上部にゲート電極1とソース・ドレイン電極2、3を設けた。

請求項（抜粋）：

Si基板上に化合物半導体から成るバッファ層と活性層を積層して設け、この活性層の上部にゲート電極とソース・ドレイン電極を設けた電界効果トランジスタにおいて、前記バッファ層中もしくはバッファ層上に、200μm以下の幅を有する酸化されたメサ状のAlx Ga1-x As(0.9≦x≦1)層を設けると共に、このAlx Ga1-x As層の上部に前記ゲート電極とソース・ドレイン電極を設けたことを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

Fターム (16件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK05 , 5F102GL05 , 5F102GN05 , 5F102GR01 , 5F102GR04 , 5F102GR09 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC19

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