特許
J-GLOBAL ID：200903056061615041
金属配線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-021936
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308074
出願日： 1991年02月15日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 生産性の向上を計るとともに、腐食による不良発生率を低くし歩留りを向上させる。【構成】 第1工程で多層金属膜5上にレジストパターン6を形成し、第2工程でAl合金膜4を塩素系ガス雰囲気を用いてエッチングする。このとき塩素系堆積物7が残留するが、第3工程でレジストパターン6を酸素系ガス雰囲気を用いてエッチングするときに塩素系堆積物7はほぼ完全に除去される。第4工程で、TiW膜3を弗素系ガス雰囲気を用いてエッチングする。このとき弗素系堆積物8が保護膜として残留する。その後、第5工程で、大気中に取り出し、純水等による洗浄を行って金属配線とする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に多層金属膜を構成する高融点金属膜または高融点金属化合物膜を形成し、この高融点金属膜または高融点金属化合物膜の上に前記多層金属膜を構成するアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜とを形成し、このアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜の上にレジストパターンを形成する第1工程と、塩素もしくは塩素化合物の少なくとも一方を主成分とするガス雰囲気中で前記アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングする第2工程と、酸素を主成分とするガス雰囲気中で前記レジストパターンをエッチングする第3工程と、弗素もしくは弗素化合物を主成分とするガス雰囲気中で前記高融点金属膜または高融点金属化合物膜をエッチングする第4工程と、前記第4工程終了後に洗浄液により前記多層金属膜の洗浄を行う第5工程とを含み、前記第2工程から前記第4工程を前記多層金属膜を大気に曝すことなく連続的に実施する金属配線の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
, H01L 21/28 301
, H01L 21/302
