特許

J-GLOBAL ID：200903056063464849

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 竹谷 元伸 ,  金 聖哲
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139706
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335703
出願日： 1995年06月06日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 従来よりも優れた移動度を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供すること。【構成】 シリコンからなる半導体能動層と、不純物が添加されたシリコンからなる不純物層とが積層されており、前記半導体能動層の前記不純物層と接する面には希ガス元素が添加されていることを特徴とする。基体表面に、シリコンからなる半導体能動層を形成する第1の成膜工程と、少なくとも希ガスを含む雰囲気中で前記半導体能動層の表面をプラズマにさらすプラズマ処理工程と、前記半導体能動層表面に、不純物が添加されたシリコンからなる不純物層を積層形成する第2の成膜工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

シリコンからなる半導体能動層と、不純物が添加されたシリコンからなる不純物層とが積層されており、前記半導体能動層の前記不純物層と接する面には希ガス元素が添加されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 618 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 F ,  H01L 29/78 618 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-346149
  
• 特開平4-256324
  
• 特開平4-122072
  
• 特開昭62-092371