特許
J-GLOBAL ID：200903056064974603
デイスク基板用プラズマ処理装置およびその処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-304763
公開番号（公開出願番号）：特開平5-140752
出願日： 1991年11月20日
公開日（公表日）： 1993年06月08日
要約：
【要約】【構成】ディスク基板用プラズマ処理装置において、電極5を、ディスク基板2両面の被処理面上のプラズマが生成される空間を取り囲み得る形状の電極部材(符号5b、5cおよび5d)と、ディスク基板中心部の穴に対向する箇所に設けた突出した電極部材(符号5e)とにより構成し、ディスク基板穴部からのプラズマ漏洩を防止する。【効果】プラズマの偏りがなくなり、被処理ディスク基板だけに均一な成膜が可能となる。
請求項（抜粋）：
真空容器と、該真空容器中の圧力を大気圧より低い状態に保つための排気手段と、該真空容器中にプラズマを発生させるための電極と、該電極に電圧を印加するための電圧供給手段と、プラズマ発生部にガス状物質を供給する手段とを備えるプラズマ処理装置を一組として、この一組を一つの真空容器中に二組有し、ディスク基板の両面をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、二つの電極は、ディスク基板両面の被処理面上のプラズマが生成される空間を取り囲み得る形状の電極部材と、ディスク基板中心部の穴に対向する箇所に設けた突出した電極部材とにより構成されることを特徴とするディスク基板用プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, C23C 14/34
