特許
J-GLOBAL ID：200903056067895470
T字型電極の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219453
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069242
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：
【要約】【目的】 断面形状がT字型の微細なゲート電極を形成する方法の提供。【構成】 GaAs基板31上に膜厚120nm のSiN 膜33、膜厚5nm のTi膜35、ネガ型レジスト層を順に形成する。このレジスト層を位相シフタのエッジラインを利用した露光法(PEL法)により露光し第1のレジストパタン37を得る。Ti膜35及びSiN 膜33を第1のレジストパタン37をマスクとしてエッチングし、窓39a を有する下層マスク39を得る。この試料上に第2のネガ型レジスト層41を形成する。この第2のネガ型レジスト層41を第1のレジストパタン37を得た際の露光量より少ない露光量のPEL法により露光して、第2のレジストパタン(上層マスク)41a を得る。この試料上にT字型電極形成用薄膜を形成する。上層マスク41a 及び下層マスク39を除去する。
請求項（抜粋）：
基材上にT字型電極形成のための下層マスク形成用薄膜であって、露光光に対し透明で、かつ、下記(a)の条件を満たす膜厚の下層マスク形成用薄膜を形成する工程と、前記下層マスク形成用薄膜上に下記(b)の条件を満たす中間膜を形成する工程と、該中間膜上にネガ型の第1のレジスト層を形成する工程と、該第1のレジスト層を位相シフタを具える露光用マスクを介し露光し、該第1のレジスト層に前記位相シフタのエッジに対応する細線状の第1の未露光部を形成する工程と、該露光済み第1のレジスト層を現像して第1のレジストパタンを形成する工程と、該第1のレジストパタンをマスクとして前記中間膜及び下層マスク形成用薄膜を選択的に除去し、前記基材表面の一部を露出する窓を有する下層マスクを得る工程と、前記第1のレジストパタンを除去し、前記下層マスク形成済み試料上にネガ型の第2のレジスト層を形成する工程と、該第2のレジスト層を前記露光用マスクを介し、前記第1のレジスト層露光時の露光量よりも少ない露光量で露光し、該第2のレジスト層の、前記下層マスクの窓と対応する部分に、該窓よりも広い細線状の第2の未露光部を形成する工程と、該露光済み第2のレジスト層を現像して、当該T字型電極形成のための上層マスクとしての第2のレジストパタンを形成する工程と、前記下層マスク及び上層マスク形成済みの基材上全面に当該T字型電極形成用薄膜を形成した後、これら下層及び上層マスクを除去する工程とを含むことを特徴とするT字型電極の形成方法。(a)前記露光光の前記中間膜で反射される光と、該露光光の前記中間膜及び下層マスク形成用薄膜を通過し前記基材で反射される光との間に、180度の位相差を与える膜厚。(b)前記レジスト層の屈折率とは異なる屈折率を有しかつ前記露光光を一部反射し一部透過する薄膜。
IPC (3件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/28
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
