特許
J-GLOBAL ID：200903056073260303
半導体発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-391192
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190619
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：
【要約】【課題】 光取り出し効率が高く、かつ、マウントが容易な半導体発光素子、および、その製造方法を提供する。【解決手段】 半導体発光素子を、ほぼ半球状の透明なp型半導体接着基板と、ほぼ半球状の透明なn型半導体接着基板と、これらに挟まれた発光ダイオード層と、により全体がほぼ球状のものとする。これを製造する方法として、ダミー基板の上に発光ダイオード層を形成した後、その上に透明なp型半導体接着基板を接着し、その後ダミー基板を除去して代わりに透明なn型半導体接着基板を接着し、全体をほぼ球状に加工する方法を提供する。また、半導体発光素子を、傾斜した端面を持ち、その端面に順次絶縁膜および反射膜を形成したものとする。
請求項（抜粋）：
第1の接着面を有するほぼ半球状のp型半導体接着基板と、第2の接着面を有するほぼ半球状のn型半導体接着基板と、前記p型半導接着基板と前記n型半導体接着基板とに挟まれ、電流注入により前記p型半導体接着基板および前記n型半導体接着基板に対して透光性を有する波長の光を発光する活性層を含む半導体積層体と、を有し、全体がほぼ球状であることを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (20件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA37
, 5F041AA40
, 5F041AA42
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA37
, 5F041CA53
, 5F041CA74
, 5F041CA76
, 5F041CA77
, 5F041CA85
, 5F041CB15
, 5F041CB36
, 5F041DA02
, 5F041DA16
