バンプ構造体、バンプ構造体の製造方法、ベアチップおよびベアチップの実装方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-135047
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321048
出願日： 1996年05月29日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】フリップチップ実装を行っても実装時のヒートサイクルによる熱ストレスの発生を軽減でき、電極パッド、バンプへのクラックの発生を防止できるバンプ構造体およびバンプの形成方法を提供することにある。【解決手段】ウエハ11上の電極パッド12にバリアメタル層14を介してバンプを形成したバンプ構造において、前記バリアメタル層14の上面に該バリアメタル層14より面積の大きい金属膜15を設け、この金属膜15の上面に横断面積が前記金属膜15より小さく、厚肉のバンプ16を形成したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハと、この半導体ウエハ上に設けられた電極パッドと、前記電極パッド上に形成されたバンプと、前記電極パッドと前記バンプとの間に介挿され前記電極パッドの金属の前記バンプ側への拡散防止のためのバリアメタル層とを具備し、前記バリアメタル層と前記バンプとの間には金属膜が介挿され、且つ、前記金属膜の前記バリアメタル層に対する接触面は前記バリアメタル層の表面領域よりも大きく形成されているとともに、前記バンプの前記金属膜に対する接触面は前記金属膜の表面領域よりも小さく且つ前記バンプの厚さは前記金属膜よりも厚肉に形成されていることを特徴とするバンブ構造体。

IPC (2件)：

H01L 21/321 , H01L 21/60 311

FI (5件)：

H01L 21/92 602 H , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/92 602 G , H01L 21/92 604 B , H01L 21/92 604 M

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