パルス化された電力によるスパッタリング堆積

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 鈴木康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-172413
公開番号（公開出願番号）：特開2004-131839
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】集積回路において銅のような材料をスパッタリング・プロセスを使って堆積することは容易ではなく最適のステップカバレージと層均一性を達成することは特に難しい。印加する電力を増やすとターゲットまたは他のチャンバの部品を損傷することがある。【解決手段】スパッタリングタイプの物理気相堆積(PVD)のリアクターにおいてターゲットに対して印加される少なくともおよそ300のキロワット(KW)のピーク出力を有する直流パルスストリームを用いる、基板の上に膜を堆積する方法(kW)。直流パルスストリームは材料をターゲットから基板の上へスパッタリングするスパッタリング加工ガスに接続される。上記直流パルスストリームはおよそ1000ヘルツ(Hz)からおよそ100ヘルツ(Hz)のパルス周波数を有してもよい。1つの実施態様において、上記方法はさらにペデスタルにバイアス電力のパルスストリームを印加することを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

チャンバ内のペデスタルの上に保持された基板上に膜を堆積する方法であって、ターゲットを含むチャンバを提供し; チャンバにスパッタリング加工ガスを供給し; 少なくともおよそ300のキロワット(kW)のピーク出力を有する直流パルスストリームをターゲットに印加し; さらにターゲットから基板の上に材料をスパッタリングする、ことを含む前記方法。

IPC (2件)：

C23C14/34 , H01L21/285

FI (2件)：

C23C14/34 R , H01L21/285 S

Fターム (29件)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA08 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD01 , 4K029CA05 , 4K029CA13 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029DC45 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104DD37 , 4M104DD39 , 4M104DD42 , 4M104DD52 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH13

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