半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028064
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228518
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 MOSトランジスタのソース、ドレイン領域の接合深さが0.1μm程度になると、拡散層の厚さが薄すぎるために、エッチングによりソース、ドレイン領域上に接続孔の形成したり、シリサイド化反応によりソース、ドレイン領域にシリサイド層を形成することは、リーク電流の増大により困難になる。【解決手段】シリコン基板11に形成した半導体素子(MOSトランジスタ1)のシリコンからなる一構成部品(ソース領域、ドレイン領域)が形成されるpウエル領域13上に、シリコン含有金属溶融液を接触させることで単結晶シリコンを結晶成長させたシリコン層22(22s、22d)を設け、ソース領域17、ドレイン領域18を厚く形成したものである。

請求項（抜粋）：

基板に形成した半導体素子のシリコンからなる一構成部品上に、シリコン含有金属溶融液を接触させることで結晶成長させたシリコン層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/208 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 21/208 Z , H01L 21/28 301 S , H01L 27/08 321 F

Fターム (50件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD55 , 4M104DD85 , 4M104FF14 , 4M104GG10 , 4M104HH04 , 5F040DA00 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040EC01 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040EF01 , 5F040EH02 , 5F040EH07 , 5F040FA03 , 5F040FA07 , 5F040FA12 , 5F040FC00 , 5F040FC05 , 5F040FC19 , 5F048AA09 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BC05 , 5F048BE03 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048DA21 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F053BB21 , 5F053DD01 , 5F053FF01 , 5F053GG01 , 5F053GG05 , 5F053HH01 , 5F053HH04 , 5F053JJ01 , 5F053JJ03 , 5F053KK10 , 5F053RR20

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