特許

J-GLOBAL ID：200903056082433970

積層セラミックコンデンサ

発明者： 藤岡 芳博 ,  大沢 真一 ,  岩崎 健一
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266315
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111553
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】静電容量を向上できるとともに、誘電特性の悪化を防止し、さらには表面実装工程でのクラック発生を抑制し、コンデンサとしての信頼性を向上し得る積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】コンデンサ本体Cを、一端側に酸化領域を有する第一導体層12と他端側に酸化領域を有する第2導体層13とを、間に誘電体層11を挟んで交互に積層してなる有効積層体Aと、両端に酸化領域を有する第3導体層14と誘電体層11とを交互に積層してなる非有効積層体Bとから構成し、さらに、非有効積層体Bの誘電体層11の熱膨張係数を有効積層体Aの誘電体層11の熱膨張係数より4〜10×10-7/°Cだけ小さくし、かつコンデンサ本体Cの厚みに対する非有効積層体Bの厚みの割合を2.5〜25%とした。

請求項（抜粋）：

コンデンサ本体と該コンデンサ本体の両端部に配設された一対の外部電極からなる積層セラミックコンデンサであって、前記コンデンサ本体を、一端側に酸化領域を有する第一導体層と他端側に酸化領域を有する第2導体層とを、間に誘電体層を挟んで交互に積層してなる有効積層体と、該有効積層体の両面にそれぞれ配置され、両端に酸化領域を有する第3導体層と誘電体層とを交互に積層してなる非有効積層体とから構成するとともに、前記有効積層体の第1導体層を一方の外部電極に、前記第2導体層を他方の外部電極に接続し、さらに、前記非有効積層体の誘電体層の熱膨張係数を前記有効積層体の誘電体層の熱膨張係数より4〜10×10-7/°Cだけ小さくし、かつ前記コンデンサ本体の厚みに対する前記非有効積層体の厚みの割合を2.5〜25%としたことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/12 346 ,  H01G 4/30 301

FI (2件)：

H01G 4/12 346 ,  H01G 4/30 301 D