特許

J-GLOBAL ID：200903056083422808

パターン形成方法

発明者： 佐本 典彦
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300253
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153666
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗の断面T字型の電極リフトオフにより形成可能な断面T字型パターン形成方法を提供する。【構成】 基板10上に塗布形成された下層レジスト11に下層レジスト開口13を形成し、その上に上層レジスト14を塗布形成し、少なくともアンモニア(NH3 )雰囲気中にて、20°Cから110°Cの温度範囲で60分間以下の温度範囲で下層レジストとのミキシング層15を形成し、上層レジスト13を紫外線16により露光し、断面T字型のパターンを形成する。

請求項（抜粋）：

二層レジスト構造において、露光現像により断面T字型パターンを形成する方法において、半導体基板上に塗布形成された下層レジストを露光し、現像することにより所望の開口パターンを形成する工程と、該開口パターンを覆うように紫外線に感度を有する上層レジストを塗布形成し、該上層レジスト上に所望パターンを紫外線にて露光し、現像する工程とを備えたことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/26 513 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 K

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-251410   出願人：富士通株式会社