特許

J-GLOBAL ID：200903056090491408

半導体電力変換装置

発明者： 加藤 修治 ,  酒井 洋満 ,  上田 茂太 ,  伊藤 智道 ,  相澤 英俊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-077432
公開番号（公開出願番号）：特開2002-281761
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】IGBTのコレクタ電圧の振動させることなく、損失増大を最小限に抑えて、コレクタへの過電圧印加を防止する。【解決手段】本発明の半導体電力変換装置は、IGBTと、該IGBTのコレクタとゲート間に接続したコンデンサと、該IGBTのスイッチングを制御するゲート回路を該IGBTのゲートに接続したアームと、直列接続した該アームを複数個並列接続し、前記直列接続したアームの中点を負荷に接続していて、ゲート電圧指令値よりゲート電圧が高い場合に、IGBTのゲートと端子とゲート回路間のインピーダンスを小さくしたり、コレクタ電圧が高い場合に、ゲートとエミッタ間のインピーダンスを小さくして、ゲートの電荷を速やかに放電する。

請求項（抜粋）：

IGBTと、該IGBTのコレクタとゲート間に接続したコンデンサと、該IGBTのスイッチングを制御するゲート回路を該IGBTのゲートに接続したアームと、直列接続した該アームを複数個並列接続し、前記直列接続したアームの中点を負荷に接続した半導体電力変換器において、前記IGBTのゲートと前記ゲート回路の配線との間に接続した可制御インピーダンスを備え、前記IGBTのコレクタ電圧に応じて定まるゲート電圧指令値より前記IGBTのゲート電圧が高い場合に、前記可制御インピーダンスのインピーダンスを低下させて、ゲートの電荷を放電することを特徴とした半導体電力変換装置。

IPC (4件)：

H02M 7/12 ,  H02M 1/00 ,  H03K 17/16 ,  H03K 17/60

FI (4件)：

H02M 7/12 A ,  H02M 1/00 E ,  H03K 17/16 F ,  H03K 17/60 A

Fターム (30件)：

5H006CA01 ,  5H006CA13 ,  5H006CB01 ,  5H006CC04 ,  5H006DB03 ,  5H006FA01 ,  5H740BA11 ,  5H740HH05 ,  5H740JA03 ,  5H740KK01 ,  5H740MM01 ,  5J055AX25 ,  5J055AX54 ,  5J055AX66 ,  5J055BX16 ,  5J055CX07 ,  5J055DX03 ,  5J055DX09 ,  5J055DX72 ,  5J055DX83 ,  5J055EX06 ,  5J055EY10 ,  5J055EY12 ,  5J055EY17 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ00 ,  5J055FX12 ,  5J055FX17 ,  5J055FX36 ,  5J055GX01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-048679   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-079758
  
• 電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-027345   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置及びそれを使った電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-034311   出願人：株式会社日立製作所