特許
J-GLOBAL ID：200903056096347988
多層配線基板の製造方法及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210504
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044318
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 従来に比べてシリコンチップと同時スイッチングノイズ低減用のチップコンデンサとの配線距離を短くすることができるフリップチップタイプのBGA用のビルドアップ多層配線基板の製造方法及び半導体装置を提供すること。【解決手段】 チップコンデンサ321を搭載する端子パッド301が設けられた第1の絶縁基材302、及び凹部303が設けられた第2の絶縁基材304を端子パッド301と凹部303とが対向するように接着し、第1の絶縁基板302の外面、及び第2の絶縁基板304の外面に複数の配線層が積層されたビルドアップ層313を形成し、凹部303の底面に対応する第2の絶縁基材304、及び第2の絶縁基材304の外面に形成されているビルドアップ層313の凹部303に対応する部分を除去してチップコンデンサ収納穴316を形成し、該チップコンデンサ収納穴316にチップコンデンサ321を搭載する。
請求項（抜粋）：
チップ部品を搭載する端子パッドが設けられた第1の絶縁基材及び凹部が設けられた第2の絶縁基材を、前記端子パッドと前記凹部とが対向するように接着する工程と、前記第1の絶縁基材の外面及び前記第2の絶縁基材の外面に、複数の配線層が積層されたビルドアップ層を形成する工程と、前記凹部の底面に対応する前記第2の絶縁基材と該凹部に対応する該第2の絶縁基材の外面の前記ビルドアップ層とを除去して、チップ部品収納用の穴を形成する工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 L
