半導体結晶の成長方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-230533
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086183
出願日： 1993年09月16日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】半導体基板表面に高品質界面と高品質結晶層を得る。【構成】半導体結晶の成長方法は、エッチング操作21,導入操作22,予備加熱操作23,搬送操作24の後にGaAs基板のプラズマクリーニング操作30,昇温操作31とを行い引き続き緩衝層の成長操作32を行う。

請求項（抜粋）：

半導体結晶を半導体結晶基板上にエピタキシャル成長する方法において、気相状態にある還元性ガスまたは不活性ガスの一部をマイクロ波電子サイクロトロン共鳴により励起してプラズマ状態にしたものを、前記半導体結晶基板上に輸送せしめ、該半導体結晶基板の表面非晶質酸化層が熱的に解離する温度以下で、該半導体結晶基板表面を清浄化する第一の工程と、前記第一の工程の後引き続いて、厚さ60nm以下の緩衝層を成長する第二の工程とを少なくとも含むことを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C30B 23/08 , H01L 21/203 , H01L 21/268

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-192489
特開平2-126633
特開平2-007148

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