特許

J-GLOBAL ID：200903056100166918

レジスト・パターン形成方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208301
公開番号（公開出願番号）：特開平10-048831
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】 化学増幅系レジスト材料からなるレジスト・パターンの形状の下地依存性を解消する。【解決手段】 ポジ型化学増幅系レジスト膜4の下地がSiN膜2のようにN原子上の孤立電子対に由来して塩基性を呈する膜である場合、両膜の間にセレン(Se)またはテルル(Te)からなる保護膜3を介在させ、レジスト膜内にレジスト可溶化反応の酸触媒として発生するプロトンH+ のSiN膜2への拡散を防止する。レジスト膜厚方向での酸濃度が一定となるため、良好な矩形のレジスト・パターン4pが形成できる。保護膜3は、SeF4 またはTeF4 を用いたプラズマCVD法で堆積させる。また、レジスト・パターン4p形成後の保護膜3の露出部は、レジスト・パターン4pの耐熱温度範囲内で基板を加熱して昇華除去する。

請求項（抜粋）：

被加工膜上で化学増幅系レジスト膜のパターニングを行うレジスト・パターン形成方法であって、前記被加工膜をイオウ以外のカルコゲンからなる保護膜で被覆する第1工程と、前記保護膜の上に化学増幅系レジスト膜を成膜する第2工程と、前記化学増幅系レジスト膜に対して選択露光と露光後ベークと現像とを行うことにより、レジスト・パターンを形成する第3工程と、前記保護膜の露出部を選択的に除去する第4工程とを有するレジスト・パターン形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 563