特許

J-GLOBAL ID：200903056110240334

放電装置

発明者： 増田 晃二 ,  末光 裕治 ,  小笠原 正 ,  浅野 和夫 ,  小村 晃雅 ,  長尾 剛次
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中村 智廣 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-224389
公開番号（公開出願番号）：特開平7-076128
出願日： 1993年09月09日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】 十分な耐熱性や耐放電性を有し、入手しやすく安価な絶縁材料を用いて、大量生産ができ、安定性や信頼性のあるイオン生成手段を有し、しかも、放電装置の長さ方向においてイオン放出量が均一になる放電装置を供給することにある。【構成】 第一の電極と、絶縁層と、第二の電極とをセラミック製の絶縁基板上に順次積層し、上記第二の電極にはイオン生成のための空間領域を形成し、第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加することで上記空間領域にイオンを生成するイオン発生部を有するイオン生成手段を備えた放電装置において、イオン生成手段にはイオン発生部とは別に形成したセラミック製の補正基板を設け、この補正基板をイオン発生部の絶縁基板面側に固着した放電装置である。

請求項（抜粋）：

第一の電極と、絶縁層と、第二の電極とをセラミック製の絶縁基板上に順次積層し、上記第二の電極にはイオン生成のための空間領域を形成し、第一の電極と第二の電極との間に電圧を印加することで上記空間領域にイオンを生成するイオン発生部を有するイオン生成手段を備えた放電装置において、イオン生成手段にはイオン発生部とは別に形成したセラミック製の補正基板を設け、この補正基板をイオン発生部の絶縁基板面側に固着したことを特徴とする放電装置。

IPC (3件)：

B41J 2/425 ,  G03G 15/05 ,  G03G 15/02 101

FI (2件)：

B41J 3/20 108 A ,  G03G 15/00 116

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-120766
  
• 特開平3-097308
  
• 端面型サーマルヘツド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-276663   出願人：日本碍子株式会社
• 特開昭63-132270