特許

J-GLOBAL ID：200903056118512899

埋め込み型光導波路の製造方法

発明者： 中仙道 和之
出願人/特許権者： 東洋通信機株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-294183
公開番号（公開出願番号）：特開2000-121859
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 近接コア部の埋め込みが容易で、高温熱処理工程による残留応力が小さく、特別なプロセスノウハウを不要とし、製造歩留まりを高くする。【解決手段】 シリコンや合成石英等の基板10上に、下部クラッド膜12となるガラス膜をイオン化蒸着法やプラズマCVD法により堆積させる(a)。下部クラッド膜12上にマスク14となるアモルファスシリコン等をCVD法で堆積させ、その上にレジストマスク16をパターニングする(b)。レジストマスク16を使い、RIEによりマスク14を形成し(c)、このマスク14を使ってコア部を形成するための溝13をエッチング加工する(d)。下部クラッド膜12上にコア層16を堆積させ(e)、基板の表面を化学的機械的研磨法などにより平坦化し、溝13内にのみコア材料16が残るようにし(f)、その上に上部クラッド膜18を成膜する(g)。

請求項（抜粋）：

基板上に下部クラッド層を堆積する工程と、前記下部クラッド層に光導波路のパターンを形成する溝をエッチング加工により形成する工程と、前記下部クラッド層上にコア層を堆積させ、前記溝に埋め込まれたコア材料のみを残して表面を平坦化する工程と、コア材料が前記溝に埋め込まれ、表面が平坦化された前記下部クラッド層上に上部クラッド層を堆積させる工程と、を含むことを特徴とする埋め込み型光導波路の製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/13 ,  G02B 6/122

FI (2件)：

G02B 6/12 M ,  G02B 6/12 A

Fターム (9件)：

2H047KA04 ,  2H047PA01 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047RA00 ,  2H047RA01 ,  2H047TA42 ,  2H047TA44