マルチビーム半導体レーザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大胡典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-229877
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067840
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】マルチビーム半導体レーザ素子とサブマウント基板間の熱抵抗を従来より抑制することができかつ、従来以上の組立精度が要らないマルチビーム半導体レーザ装置を提供する点。【構成】サブマウント基板の表面に複数の平面配線電極の間に島状孤立電極を形成して、マルチビーム半導体レーザ素子表面の個別電極と一体とする。従ってサブマウント基板と半導体基板との間に生ずる空隙を埋めることができまた、島状孤立電極は、電気的に何等の作用をしないので、組立てに際しての位置ずれによる電気的な短絡が防止できると共に熱抵抗を下げることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に互いに隣接して設けられかつ光軸が基板表面に平行でまた互いにも平行な半導体レーザ素子と,前記半導体レーザ素子表面から穿たれて半導体レーザ素子を電気的に分離する溝と,前記半導体レーザ素子表面に半導体レーザ素子毎に設置する個別電極と,前記基板の裏面に設ける前記個別電極と逆極性の共通電極と,前記半導体レーザ素子を固着する半絶縁性で板状のサブマウント表面に形成する平面配線電極と,前記平面配線電極間に露出する前記半絶縁性板状サブマウント表面及び個別電極に接触・固着する前記平面配線電極と同じ厚さの導電性物質からなる複数の島状電極を具備することを特徴するマルチビーム半導体レーザ装置

前のページに戻る