特許
J-GLOBAL ID：200903056126687487
単結晶の育成方法及びその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-259153
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097566
出願日： 1991年10月07日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】【目的】 成長結晶の直径を増加させる工程及び直胴部を形成する工程を含め、固液界面を常時凸状態に維持することにより、結晶欠陥の混入を防止し、良質の単結晶の育成を可能にする垂直ブリッジマン方法又はグラジエントフリージング方法及びその装置を提供しようとするものである。【構成】 逆円錐形底部の先端に小さな円筒形突出部を設けた縦型容器に原料を収容し、温度勾配炉内で下方より冷却固化して単結晶を育成する方法において、固液界面が縦型容器の直胴部に至るまでは、上記円筒形突出部を支持棒に固定して縦型容器を支持し、逆円錐形底部を実質的に露出した状態に保持し、次いで、直胴部形成工程においては、支持台の上面で逆円錐形底部を受けて該底部から支持台を介して熱を放散させることを特徴とする垂直ブリッジマン方法又はグラジエントフリージング方法及びその装置である。
請求項（抜粋）：
逆円錐形底部の先端に小さな円筒形突出部を設けた縦型容器に原料を収容し、温度勾配炉内で下方より冷却固化して単結晶を育成する垂直ブリッジマン方法又はグラジエントフリージング法において、固液界面が縦型容器の直胴部に至るまでは、上記円筒形突出部を支持棒に固定して縦型容器を支持し、逆円錐形底部を実質的に露出した状態に保持し、次いで、直胴部形成工程においては、支持台の上面で逆円錐形底部を受けて該底部から支持台を介して熱を放散させることを特徴とする単結晶の育成方法。
IPC (3件)：
C30B 11/00
, C30B 29/46
, H01L 21/208
