特許

J-GLOBAL ID：200903056129316056

貼り合せSOIウェーハの製造方法

発明者： 古川 弘 ,  藤本 和明 ,  山本 博昭
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 五十嵐 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265239
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094079
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 厚みの異なるベースウェーハ1と活性ウェーハ2を用いて原子のスリップ移動の欠陥がない貼り合せSOIウェーハを製造する。【解決手段】 工程(a)でベースウェーハ1と活性ウェーハ2を用意し、活性ウェーハ2はベースウェーハ1よりも薄いものを用いる。ベースウェーハ1と活性ウェーハ2の厚み差は150μm以下とする。工程(b)で活性ウェーハ2の表面を酸化する。次に、工程(c)でベースウェーハ1と活性ウェーハ2を密着一体化し、酸素を含む雰囲気ガス中で1000〜1200°Cの温度に所定時間保って、熱処理(d)の工程を行う。次いで、活性ウェーハ2の研削(e)と研磨(f)の工程をへて貼り合せSOIウェーハを得る。

請求項（抜粋）：

ベースウェーハと活性ウェーハを該ベースウェーハと活性ウェーハの一方又は両方の表面に形成されている酸化膜を介し重ねて接着するとともに接着されたベースウェーハと活性ウェーハの表面を熱酸化し、然る後に活性ウェーハを表面側からの研削研磨により薄肉化して活性層と成す貼り合せSOIの製造方法において、前記接着するベースウェーハと活性ウェーハは異なる厚みとし、その厚み差は150μm以下とすることを特徴とする貼り合せSOIウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 622 W