特許

J-GLOBAL ID：200903056130289003

半導体撮像素子

発明者： 廣津 総吉 ,  廣津 寿一
出願人/特許権者： 廣津 総吉
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-271378
公開番号（公開出願番号）：特開2005-160031
出願日： 2004年09月17日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：

【課題】 一視野内の輝度分布が大きい場合であっても明るい部分と暗い部分とを十分なコントラストで検知可能な、高精度かつ小型化された半導体撮像素子を提供する。【解決手段】 半導体撮像素子の画素回路10の各々は、受光検知素子20と、電流発生回路として設けられるカレントミラー回路30a,30bとを備える。受光検知素子20は、受光量に応じた光電流I0をノードNaに生じさせる。カレントミラー回路30aは、光電流I0に応じた電流I1,I2をノードNbおよび出力ノードNoへそれぞれ流す。カレントミラー回路30bは、ノードNbの通過電流I3に応じた電流I4を発生させるとともに、電流I2および電流I4の差電流が出力ノードNoを流れるように接続される。各画素回路10のノードNbは、画素間接続部を構成する抵抗成分40によって、隣接する画素回路の少なくとも1つの中のノードNbと電気的に接続される。出力電流Ioは、自身の光電流I0と周辺画素での平均受光量に応じた電流I3との相対的な差に応じた電流となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の画素回路を備え、 各前記画素回路は、 受光量に応じた光電流を第1のノードに生じさせる受光検知素子と、 前記第1のノードを流れる前記光電流に応じた第1の電流および第2の電流を発生させるとともに、前記第1の電流および前記第2の電流を第2のノードおよび出力ノードへそれぞれ流すように、前記第1および第2のノードならびに前記出力ノードと接続された第1の電流発生回路と、 前記第2のノードの通過電流である第3の電流に応じた第4の電流を発生させるととも00に、前記第2の電流と前記第4の電流との差電流が前記出力ノードを流れるように、前記第2のノードおよび前記出力ノードと接続された第2の電流発生回路とを含み、 各前記画素回路の前記第2のノードを、隣接する前記画素回路の少なくとも1つの中の前記第2のノードと電気的に接続するための画素間接続部をさらに備える、半導体撮像素子。

IPC (3件)：

H04N5/335 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10

FI (3件)：

H04N5/335 E ,  H01L27/14 A ,  H01L31/10 G

Fターム (26件)：

4M118AA02 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA09 ,  4M118DB16 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118DD20 ,  4M118FA06 ,  5C024CX03 ,  5C024CX37 ,  5C024CX43 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024HX12 ,  5C024HX18 ,  5C024HX40 ,  5C024HX48 ,  5F049MA01 ,  5F049NA04 ,  5F049NB05 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049UA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-153673   出願人：三菱電機株式会社