特許

J-GLOBAL ID：200903056132074632

半導体発光素子および光装置

発明者： 奥山 浩之 ,  石橋 晃 ,  塚本 弘範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330914
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150337
出願日： 1997年11月14日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】 従来とは異なる材料を用いることにより特性を向上させ寿命を延長させることができる半導体発光素子および光装置を提供する。【解決手段】 n型GaPよりなる基板1の上にn型クラッド層2,活性層3,p型クラッド層4を順次積層する。n型クラッド層2はn型ZnBeSSe混晶により構成し、活性層3はZnOSSe混晶により構成し、p型クラッド層4はp型ZnBeSSe混晶により構成する。活性層3はOを含み、n型クラッド層2およびp型クラッド層4はBeを含んでいるので、格子定数およびバンドギャップを広い範囲から選択できる。よって、活性層3が歪みを有さないように構成できる。また、p型クラッド層4はBeを含んでいるので、キャリア濃度を高くすることができる。

請求項（抜粋）：

亜鉛(Zn),マグネシウム(Mg),カドミウム(Cd),ベリリウム(Be),マンガン(Mn)および水銀(Hg)からなる群のうちの少なくとも1種のII族元素と、酸素(O),硫黄(S),セレン(Se)およびテルル(Te)からなる群のうちの少なくとも1種のVI族元素とを含むII-VI族化合物半導体よりそれぞれなる第1導電型クラッド層,活性層および第2導電型クラッド層を備えた半導体発光素子であって、前記活性層はVI族元素として少なくとも酸素を含むII-VI族化合物半導体よりなることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/027 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 D ,  H01L 21/30 515 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-346399   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-133479
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-258769   出願人：ソニー株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-289283   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Electrical properties of light emitting devices based on the II-VI compounds BeTe and BeMgZnSe