特許
J-GLOBAL ID：200903056138194303
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046563
公開番号（公開出願番号）：特開平5-250889
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】 各読み出しモードにおける基準電位あるいは、読み出し電位を変化させることにより、広範囲な電源電圧の下で安定した動作ができ、信頼性の向上を図ることができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセル、ダミーセルを流れる電流量に基づいて、メモリセルの読み出し電位と基準電位とを発生させる回路13、16と、読み出し電位と基準電位とを入力として両者を比較し、データの“1”、“0”を決定するセンス増幅回路14とを具備し、データ変更後と通常読み出し時とで、読み出し電位及び基準電位発生回路13、16に流れる電流を変化させることによって読み出し電位と基準電位とを変化させる。
請求項（抜粋）：
ソース、ドレイン、浮遊ゲート、制御ゲートを備えた不揮発性トランジスタを含むメモリセルと、ダミーセルとを備えた不揮発性半導体記憶装置において、前記メモリセル、ダミーセルを流れる電流量に基づいてメモリセルの読み出し電位と基準電位とを発生させる回路と、前記読み出し電位と基準電位とを入力として両者を比較し、データの“1”、“0”を決定するセンス増幅回路とを有し、データ変更後と通常読み出し時とで、前記読み出し電位及び基準電位発生回路の少なくともいずれか1つに流れる電流を変化させることによって前記読み出し電位と基準電位とを変化させる事を特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 F
, H01L 27/10 434
