特許
J-GLOBAL ID：200903056138581315
X線マスクの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-153180
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343301
出願日： 1992年06月12日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：
【要約】【目的】 吸収体膜の構造が緻密で、加工性に優れた吸収体膜が得られ、高精度のX線マスクの製造方法を得る。【構成】 片面にのみメンブレン薄膜2が付いた状態のシリコンウエハ1を支持枠4に接合した(第1工程)後、シリコンウエハ1をすべてエッチングにより溶解して除去し(第2工程)、シリコンウエハ1のエッチングにより表出したメンブレン薄膜2に吸収体パタン3を形成する(第3工程)。
請求項（抜粋）：
片面にメンブレン薄膜が成膜された状態のシリコンウエハを上記メンブレン薄膜面で支持枠に接合するか、または両面にメンブレン薄膜が成膜されたされたシリコンウエハを支持枠に接合した後、上記接合面と反対の側のメンブレン薄膜をエッチングにより除去する第1工程、上記シリコンウエハをシリコンエッチング液により溶解除去して上記支持枠に展張したメンブレン薄膜を形成する第2工程、及び上記シリコンウエハの除去により表出した上記メンブレン薄膜面にX線吸収体パタンを形成する第3工程を施すことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (2件)：
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