冗長アドレス記憶回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-121819
公開番号（公開出願番号）：特開平5-314789
出願日： 1992年05月14日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】消費電力の低減化を図ると共に、電源マージンを大きくとることができるようにする。【構成】EPROMセル・トランジスタ23の電流駆動能力をEPROMセル・トランジスタ24よりも若干大きくすると共に、EPROMセル・トランジスタ23に対する書込み回路を設け、冗長アドレスの1ビットとして「L」を記憶させる場合には、EPROMセル・トランジスタ23に対して書込みを行わず、冗長アドレスの1ビットとして「H」を記憶させる場合にのみ、EPROMセル・トランジスタ23に対して書込みを行う。

請求項（抜粋）：

一方及び他方の駆動トランジスタを一導電型の不揮発性メモリ・セル・トランジスタ(23、24)で構成し、一方及び他方の負荷トランジスタを他の導電型のMOSトランジスタ(21、22)で構成してなるフリップフロップ(27)を記憶回路として構成されていることを特徴とする冗長アドレス記憶回路。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭54-017655
特開昭60-189029
特開昭54-017655

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