特許
J-GLOBAL ID：200903056155406861
窒化物半導体の結晶成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-178606
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026383
出願日： 1997年07月03日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板上にGaN系半導体を高品質に形成することのできる窒化物半導体の結晶成長方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板(11)上に厚さ500Å以下のダイヤモンド構造を有するダイヤモンドカーボンをバッファ層(12)として形成した後、このバッファ層上に高濃度にカーボンをドープしたGaNバッファ層(13)を更に形成し、このGaNバッファ層上にGaN系半導体(14)を形成する。特に原料ガスとしてメタンと窒素ガスとを用い、ホットフィラメントを有するガスノズルを用いて原料ガスを活性化することで高濃度にカーボンをドープしたGaNバッファ層を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に厚さ500Å以下のダイヤモンド構造を有するダイヤモンドカーボンをバッファ層として形成した後、このバッファ層上に高濃度にカーボンをドープしたGaNバッファ層を形成し、このGaNバッファ層上にGaN系半導体を形成することを特徴とする窒化物半導体の結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 29/40 502
, H01L 33/00
H01L 21/205
, C30B 29/40 502 H
, H01L 33/00 C
