特許

J-GLOBAL ID：200903056155874440

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 青木 英雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-043741
公開番号（公開出願番号）：特開平8-241988
出願日： 1995年03月03日
公開日（公表日）： 1996年09月17日
要約：

【要約】【目的】 低抵抗のゲート電極および配線膜を有する半導体集積回路装置と、それを簡単に得ることができる製造技術を提供する。【構成】 MOSFETが設けられている半導体基板1の上に設けられているMOSFETの多結晶シリコン膜を主体としているゲート電極4aと、ゲート電極4aの側面の一部に設けられているサイドウォール絶縁膜5と、ゲート電極4aの側面の一部に設けられていると共にゲート電極4aの材料よりも低抵抗な材料からなるシリサイド膜9aと、フィールド絶縁膜2の上に設けられていると共にゲート電極4aと同一工程により形成されている多結晶シリコン膜を主体としている配線膜4bと、配線膜4bの側面に設けられているシリサイド膜9aとを有するものとする。

請求項（抜粋）：

MOSFETが設けられている半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられている前記MOSFETのゲート電極と、前記ゲート電極の側面の一部に設けられているサイドウォール絶縁膜と、前記ゲート電極の側面の一部に設けられていると共に前記ゲート電極の材料よりも低抵抗な材料からなる導電膜とを有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/90 A ,  H01L 29/78 301 P