特許

J-GLOBAL ID：200903056159120563

半導体装置

発明者： 名取 完治
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266157
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013680
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 高集積度、高速の半導体装置においては、急激に消費電流が増大し易く、このため、電源電位が変動して誤動作に原因となる。これを防止するために、半導体装置の面積を増大させることなく電位の安定した電源を供給し、信頼性の高い半導体装置を実現する。【構成】 論理回路を構成する上において、未使用となっている電極2を用いてキャパシタ20を構成し、電源配線10、11と接続する。これにより電源供給回路の容量が増加し、急激な消費電流の増大に対しても安定した電位の供給を行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された複数の機能セルを接続して論理回路を実現する半導体装置において、前記論理回路に未使用の前記機能セルを用いて電源キャパシタ部が形成されていることを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-142656
  
• 特開昭61-061437
  
• 特開昭62-123739