特許

J-GLOBAL ID：200903056162509927

レーザゲッタリング方法及び半導体基板

発明者： 藤井 義磨郎 ,  福世 文嗣
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-065918
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264194
出願日： 2002年03月11日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】 ゲッタリング効果が高く且つその持続性が長いレーザゲッタリング方法及び半導体基板を提供する。【解決手段】 本発明に係るレーザゲッタリング方法は、半導体基板1の内部に集光点Pを合わせて、集光点Pにおけるピークパワー密度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光Lを照射し、半導体基板1の内部の集光点P近傍で多光子吸収を発生させ、アモルファス領域を含む溶融処理領域3を形成することで、不純物を捕獲するためのゲッタリング部5を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記半導体基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成することで、不純物を捕獲するためのゲッタリング部を形成することを特徴とするレーザゲッタリング方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-044726
  
• 特開昭56-006432