特許
J-GLOBAL ID:200903056162658523
光半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 耕二 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-295548
公開番号(公開出願番号):特開2000-124477
出願日: 1998年10月16日
公開日(公表日): 2000年04月28日
要約:
【要約】【課題】 ボンディングワイヤが溝の最深部を横断しない構成にすることにより、薄形化した光半導体装置を得る。【解決手段】 発光素子3をアイランド22上に固定し、周囲を透明な樹脂でモールドして封止体25とする。発光素子2の上部に溝26を形成して反射面27を形成し、信号光6を反射面27で反射して封止体25の一側面25bから入出射するように構成する。発光素子3表面の電極パッド30aを受光素子2の電極パッド30bに接続し、受光素子2を経由してリード端子23bから取り出す。ボンディングワイヤ24、24aは溝26の最深部31を横断しない。
請求項(抜粋):
発光素子と受光素子とを共通の樹脂層で被覆し、前記発光素子及び受光素子の上方に反射面を作る溝を形成し、前記反射面にて光信号を屈曲し、前記樹脂層の一側面から前記光信号の送受信を行う光半導体装置であって、前記樹脂層の他側面に複数のリード端子を有し、前記溝の最深部に対して前記一側面に近い一方の側で、前記発光素子の電極パッドと前記受光素子の電極パッドとをボンディングワイヤで接続し、前記溝の最深部に対して前記他側面に近い他方の側で、前記発光及び受光素子の電極パッドと前記外部接続リードとをボンディングワイヤにて接続したことを特徴とする光半導体装置。
IPC (3件):
H01L 31/02
, H01L 23/28
, H01L 31/12
FI (3件):
H01L 31/02 B
, H01L 23/28 D
, H01L 31/12 E
Fターム (29件):
4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109CA21
, 4M109DA07
, 4M109EC11
, 4M109EE13
, 4M109GA01
, 5F088AA03
, 5F088BA15
, 5F088BB01
, 5F088BB10
, 5F088EA09
, 5F088JA02
, 5F088JA06
, 5F088JA10
, 5F088JA12
, 5F088JA20
, 5F088KA02
, 5F088LA01
, 5F089AA01
, 5F089AB09
, 5F089AC11
, 5F089AC21
, 5F089AC30
, 5F089CA20
, 5F089CA21
, 5F089DA08
, 5F089DA14
, 5F089DA17
引用特許:
審査官引用 (3件)
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小型光半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-242423
出願人:株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
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プラグ・ジャック式光電共用伝送装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-239787
出願人:シャープ株式会社
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特開昭63-090866
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