特許
J-GLOBAL ID：200903056163009308
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-018887
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213794
出願日： 1996年02月05日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：
【要約】【課題】 下層の第1の配線と上層の第2の配線とを接続するための接続孔が第1の配線に対してずれて形成されても、接続孔における配線抵抗の増大を防止できる半導体装置を実現する。【解決手段】 第1の層間絶縁膜1上に第1のAl-Si-Cu配線2を形成した後、第2の層間絶縁膜3を形成し平坦化を行い、接続孔4を形成する。この際、接続孔4が第1のAl-Si-Cu配線2からずれて形成されている。次に、表面処理後、Ti膜5を全面に形成し、Arスパッタエッチングにより第1のAl-Si-Cu配線2の露出した端縁および側壁を傾斜面とした後、第2のAl-Si-Cu配線6を形成する。第1のAl-Si-Cu配線2の側壁を傾斜面とすることにより、第2のAl-Si-Cu配線6を接続孔4に完全に埋め込むことができ、第1のAl-Si-Cu配線2の傾斜面の全面で電気的導通をとることができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され側壁を傾斜面とした第1の配線と、この第1の配線上に形成した層間絶縁膜と、前記第1の配線の前記傾斜面が露出するように前記層間絶縁膜を開口した接続孔と、この接続孔内および前記層間絶縁膜上に形成した第2の配線とを備えた半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, C23F 4/00
, H01L 21/28
, H01L 21/3065
H01L 21/90 B
, C23F 4/00 C
, H01L 21/28 F
, H01L 21/302 H
