透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038133
公開番号（公開出願番号）：特開2002-012964
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 2002年01月15日
要約：

【要約】【課題】低抵抗で耐擦傷性の高い酸化錫系透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、Ga2 O3 とIn2 O3 とSnO2 との総量に対して、ガリウムをGa2 O3換算で0.1〜30モル%含有し、かつインジウムをIn2 O3 換算で0.1〜30モル%含有する透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、ガリウムをGa2 O3 換算でGa2 O3 とIn2 O3 とSnO2 との総量に対して0.1〜30モル%含有し、かつインジウムをIn2 O3 換算でGa2 O3 とIn2 O3 とSnO2 との総量に対して0.1〜30モル%含有することを特徴とする透明導電膜。

IPC (4件)：

C23C 14/08 , C01G 19/00 , C23C 14/34 , H01B 5/14

FI (4件)：

C23C 14/08 D , C01G 19/00 A , C23C 14/34 A , H01B 5/14 A

Fターム (8件)：

4K029BA47 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 5G307FB01 , 5G307FC10

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭60-221569
特開平4-272612
特開昭60-065760

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審査官引用 (8件)

特開昭60-221569
特開昭60-221569
特開平4-272612

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