特許
J-GLOBAL ID：200903056163902258
電界放出陰極の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-009868
公開番号（公開出願番号）：特開平5-205614
出願日： 1992年01月23日
公開日（公表日）： 1993年08月13日
要約：
【要約】【目的】 真空マイクロデバイス等に用いるにおいて、電界放出陰極材料として、金属が使え、特性がよく、かつ形状制御の容易な電界放出陰極が形成でき、また、アノードとの距離を一定にするスペーサも簡単に形成できる電界放出陰極の作成方法を得る。【構成】 角錐型あるいは円錐型の凹みを基板上に設け、その上に電界放出陰極材料をスパッタ等で形成する。その後基板を除去する時スペーサ形成部分にマスクをかけてエッチングを行うことによりスペーサと電界放出陰極を形成する。【効果】 性能、信頼性が高く製造コストの安い電界放出陰極が製造できる。
請求項（抜粋）：
錐型の電界放出電極を持つマイクロ真空デバイスにおいて、基板に錐型の凹みを形成し、その上に電極材料を形成し、その後、基板を除去する際スペーサー部分を残して基板除去を行ったことを特徴とする電界放出陰極の作製方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 27/26
, H01J 37/073
