半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-210378
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061245
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置に関し、高温熱処理を行わないで、コレクタ電極とコレクタコンタクト層のコンタクト抵抗を低減することができ、安定した素子特性を得ることができるとともに、プロセスの自由度を上げることができる半導体装置を提供することを目的とする。【構成】異なる性質を有する少なくとも2種類以上の半導体薄膜を交互に重ねた超格子層3は、該超格子層3と性質の異なる2種の半導体層2,4間に形成されてなるように構成する。

請求項（抜粋）：

一導電型の第1の化合物半導体層と、該第1の化合物半導体層ショットキ接触する電極の間に、該第1の化合物半導体層よりも電子親和力の大きい第2の化合物半導体層からなる井戸層と該第2の化合物半導体層よりも電子親和力が小さくキャリアがトンネル可能な厚みを有するバリア層とを交互に積層した超格子層を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/20 , H01L 29/06 , H01L 29/205

前のページに戻る